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NTHL022N120M3S.
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 16,830 € |
| 10+ | 12,500 € |
| 25+ | 12,300 € |
| 50+ | 12,100 € |
| 100+ | 11,900 € |
| 250+ | 11,680 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNTHL022N120M3S.
Código Farnell4134028
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Corriente de Drenaje Continua Id68A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.022ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.4V
Disipación de Potencia352W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Corriente de Drenaje Continua Id
68A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.022ohm
Número de pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.4V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Tipo de Canal
N Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
352W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para NTHL022N120M3S.
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.008309