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NTBG032N065M3S
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNTBG032N065M3S
Código Farnell4583070
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
800 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 8,590 € |
| 5+ | 7,420 € |
| 10+ | 6,250 € |
| 50+ | 5,730 € |
| 100+ | 5,210 € |
| 250+ | 5,110 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNTBG032N065M3S
Código Farnell4583070
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id52A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.044ohm
Encapsulado del TransistorTO-263HV (D2PAK)
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia200W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
NTBG032N065M3S is a 650V M3S planar SiC MOSFET in a 7 pin D2PAK package. It is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive. Typical applications include SMPS, solar inverters, UPS, energy storages, EV charging infrastructure.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 52A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 113pF)
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
52A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.044ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Encapsulado del Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
200W
Gama de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto