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NSVMMBTH10LT1G
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNSVMMBTH10LT1G
Código Farnell2630338
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx25V
Frecuencia de Transición650MHz
Disipación de Potencia300mW
Corriente de Colector Continua999A
Encapsulado del TransistorSOT-23
Número de Pines3Pins
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE60hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Frecuencia de Transición
650MHz
Corriente de Colector Continua
999A
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
25V
Disipación de Potencia
300mW
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE
60hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00004
Trazabilidad del producto