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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
5+ | 0,419 € |
10+ | 0,227 € |
100+ | 0,149 € |
500+ | 0,116 € |
1000+ | 0,100 € |
5000+ | 0,0823 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNSDP301MX3T5G
Código Farnell3872097
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoÚnico
Resistencia a Corriente If1.3ohm
Tensión Inversa80V
Encapsulado del DiodoX3DFN
Núm. de Pines2 Pines
Capacitancia del Diodo0.33pF
Corriente Directa100mA
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tensión Directa810mV
Disipación de Potencia-
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Único
Tensión Inversa
80V
Núm. de Pines
2 Pines
Corriente Directa
100mA
Tensión Directa
810mV
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Resistencia a Corriente If
1.3ohm
Encapsulado del Diodo
X3DFN
Capacitancia del Diodo
0.33pF
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Disipación de Potencia
-
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0007
Trazabilidad del producto