Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
90 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Disponible hasta que se agoten las existencias
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 25,590 € |
5+ | 24,170 € |
10+ | 22,750 € |
50+ | 22,740 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
25,59 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNFAM0512L5BT
Código Farnell3677703
Hoja de datos técnicos
Dispositivo de Alimentación IPMIGBT
Tensión Nominal (Vces / Vdss)1.2kV
Corriente Nominal (Ic / Id)5A
Tensión de Aislamiento2.5kV
Diseño IPMDIP
Serie IPMDIPIPM
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Resumen del producto
Fully−integrated inverter power module consisting of an independent high side gate driver, LVIC, six IGBT’s and a temperature sensor (VTS and NTC Thermistor), suitable for driving permanent magnet synchronous (PMSM) motors, brushless DC (BLDC) motors and AC asynchronous motors. The IGBT’s are configured in a three−phase bridge with separate emitter connections for the lower legs for maximum flexibility in the choice of control algorithm. The power stage has under−voltage lockout protection (UVP). Internal boost diodes are provided for high side gate boost drive.
- Three−phase 1200V, 5A IGBT module with independent drivers
- Active logic interface
- Built−in under−voltage protection (UVP)
- Integrated bootstrap diodes and resistors
- Separate low−side IGBT emitter connections for individual current sensing of each phase
- Temperature sensor (VTS or NTC thermistor)
- UL 1557 certified (file no.339285)
Especificaciones técnicas
Dispositivo de Alimentación IPM
IGBT
Corriente Nominal (Ic / Id)
5A
Diseño IPM
DIP
Gama de Producto
-
Tensión Nominal (Vces / Vdss)
1.2kV
Tensión de Aislamiento
2.5kV
Serie IPM
DIPIPM
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00017
Trazabilidad del producto