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MMBTH10-4LT1G
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0382 € |
| 9000+ | 0,0334 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
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Múltiplo: 3000
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBTH10-4LT1G
Código Farnell4319784
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx25V
Frecuencia de Transición800MHz
Disipación de Potencia225mW
Corriente de Colector Continua999A
Encapsulado del TransistorSOT-23
Número de Pines3Pins
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE120hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Frecuencia de Transición
800MHz
Corriente de Colector Continua
999A
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Colector-Emisor Máx
25V
Disipación de Potencia
225mW
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE
120hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004536
Trazabilidad del producto