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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
3000+ | 0,095 € |
9000+ | 0,0798 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBFJ111
Código Farnell4319663
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.-
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente-10V
Encapsulado del TransistorSOT-23
Número de pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
-35V
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
-10V
Número de pines
3 Pines
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
-
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000018
Trazabilidad del producto