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MJ11015G
Transistor Darlington, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pines
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,440 € |
| 5+ | 6,280 € |
| 10+ | 5,120 € |
| 50+ | 5,100 € |
| 100+ | 4,580 € |
| 250+ | 4,280 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMJ11015G
Código Farnell9556575
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo120V
Disipación de Potencia Pd200W
Corriente de Colector DC30A
Encapsulado del Transistor RFTO-3
Número de Pines2Pins
Ganancia de Corriente DC hFE1000hFE
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Temperatura de Funcionamiento Máx.200°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El MJ11015G de On Semiconductor es un transistor de potencia bipolar Darlington PNP de 30A / 120V en encapsulado TO-204AA(TO-3) de montaje por orificio pasante. Cuenta con alta ganancia de corriente DC y construcción monolítica con resistencia de derivación base-emisor integrada. Funciona como un dispositivo de salida en aplicaciones de amplificador de propósito general de carácter complementario.
- Tensión de colector a emisor (Vce) de -120V
- Corriente de colector (Ic) de -30A
- Disipación de potencia de 200W
- Rango de temperatura de unión en funcionamiento de -55°C a 200°C
- Tensión de ruptura colector-emisor de -120V
- Tensión de saturación colector-emisor de -3V a una corriente de colector de 20A
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP
Disipación de Potencia Pd
200W
Encapsulado del Transistor RF
TO-3
Ganancia de Corriente DC hFE
1000hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
200°C
Calificación
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
120V
Corriente de Colector DC
30A
Número de Pines
2Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para MJ11015G
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.011793
Trazabilidad del producto