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MBRD1035CTLG
Rectificador Schottky, 35 V, 10 A, Cátodo Común Doble, TO-252 (DPAK), 4 Pines, 470 mV
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Fuera de producción
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMBRD1035CTLG
Código Farnell9556974
Hoja de datos técnicos
Cresta de Tensión Inversa Recurrente35V
Corriente Directa Promedio10A
Configuración de DiodoCátodo Común Doble
Encapsulado del DiodoTO-252 (DPAK)
Número de Pines4Pins
Tensión Directa Máxima470mV
Sobrecorriente Directa50A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Gama de Producto-
Calificación-
Alternativas para MBRD1035CTLG
2 productos encontrados
Resumen del producto
The MBRD1035CTLG is a SWITCHMODE™ Schottky Power Rectifier with moulded epoxy case. It employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. It is ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies, free-wheeling diode and polarity protection diodes.
- All external surfaces corrosion-resistant
- Highly stable oxide passivated junction
- Guard-ring for stress protection
- Matched dual die construction- may be paralleled for high current output
- High dv/dt capability
- Short heat-sink tap manufactured - Not sheared
- Very low forward-voltage drop
- UL94V-0 Flammability rating
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
35V
Configuración de Diodo
Cátodo Común Doble
Número de Pines
4Pins
Sobrecorriente Directa
50A
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
10A
Encapsulado del Diodo
TO-252 (DPAK)
Tensión Directa Máxima
470mV
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:India
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:India
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0004