Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
121 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Disponible hasta que se agoten las existencias
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 1,210 € |
10+ | 0,962 € |
100+ | 0,809 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,21 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteIRF530A
Código Farnell2563971
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id14A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.11ohm
Encapsulado del TransistorTO-220
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia55W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El IRF530A es un MOSFET de potencia avanzado de canal N de 100V con tecnología robusta de avalancha y tecnología de óxido de puerta robusta. Ofrece baja capacitancia de entrada y carga de puerta mejorada.
- Área de operación segura extendida
- Corriente de fuga inferior (máximo de 10A a VDS = 100V)
- RDS(On) inferior de 0,092Ω (típica)
- Tensión de puerta a fuente de ±20V
- Resistencia térmica de 62,5°C/W, unión a ambiente
- Resistencia térmica de 2,74°C/W, unión a carcasa
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
14A
Encapsulado del Transistor
TO-220
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
55W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.11ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
Productos asociados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002722
Trazabilidad del producto