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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFJP13007H2TU
Código Farnell3368625
Rango de ProductoFJP13007
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx400V
Corriente de Colector Continua8A
Disipación de Potencia80W
Encapsulado del TransistorTO-220
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Número de pines3Pins
Frecuencia de Transición4MHz
Mín. ganancia de corriente continua hFE26hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoFJP13007
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Alternativas para FJP13007H2TU
Se ha encontrado 1 producto
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector Continua
8A
Encapsulado del Transistor
TO-220
Número de pines
3Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE
26hFE
Gama de Producto
FJP13007
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tensión Colector-Emisor Máx
400V
Disipación de Potencia
80W
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Frecuencia de Transición
4MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.009072