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FGHL50T65MQDT
IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pines
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 5,600 € |
| 10+ | 5,520 € |
| 100+ | 3,190 € |
| 500+ | 2,280 € |
| 1000+ | 2,090 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFGHL50T65MQDT
Código Farnell3929765
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua80A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.45V
Disipación de Potencia268W
Tensión Colector-Emisor Máx650V
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
80A
Disipación de Potencia
268W
Encapsulado del Transistor
TO-247
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
-
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.45V
Tensión Colector-Emisor Máx
650V
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00542
Trazabilidad del producto