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FFSP1065B
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, EliteSiC, EliteSiC Series, Único, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-220
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFFSP1065B
Código Farnell3265438
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,080 € |
| 10+ | 2,250 € |
| 100+ | 1,640 € |
| 500+ | 1,320 € |
| 1000+ | 1,290 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFFSP1065B
Código Farnell3265438
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Gama de ProductoEliteSiC Series
Configuración de DiodoÚnico
Cresta de Tensión Inversa Recurrente650V
Corriente Directa Promedio10A
Carga Capacitiva Total25nC
Encapsulado del DiodoTO-220
Núm. de Pines2 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoAgujero Pasante
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Gama de Producto
EliteSiC Series
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
650V
Carga Capacitiva Total
25nC
Núm. de Pines
2 Pines
Montaje de Diodo
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
10A
Encapsulado del Diodo
TO-220
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Switzerland
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Switzerland
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001814