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FDS8958A-F085
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDS8958A-F085
Código Farnell2453865
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N30V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P7A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.019ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.019ohm
Encapsulado del TransistorSOIC
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N2W
Disipación de Potencia Canal P2W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2022)
Alternativas para FDS8958A-F085
Se ha encontrado 1 producto
Resumen del producto
The FDS8958A_F085 is a dual N/P-channel MOSFET advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching speed
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
7A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.019ohm
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
2W
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.019ohm
Encapsulado del Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Canal N
2W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2022)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2022)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000454
Trazabilidad del producto