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FDMD8560L
MOSFET Doble, PowerTrench, Canal N, 60 V, 93 A, 0.0025 ohm
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDMD8560L
Código Farnell2610668
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,040 € |
| 10+ | 2,810 € |
| 100+ | 2,070 € |
| 500+ | 1,680 € |
| 1000+ | 1,650 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDMD8560L
Código Farnell2610668
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N93A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.0025ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P-
Encapsulado del TransistorPQFN
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N48W
Disipación de Potencia Canal P-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoPowerTrench Series
Calificación-
Resumen del producto
FDMD8560L is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon. Application includes synchronous buck primary switch of half / full bridge converter for telecom, motor bridge primary switch of half / full bridge converter for BLDC motor, MV POL 48V synchronous buck switch, and half/full bridge secondary synchronous rectification.
- Ideal for flexible layout in primary side of bridge topology
- 100% UIL tested, kelvin high side MOSFET drive Pin-out capability
- Static drain to source on resistance is 2.5mohm (typ, VGS = 10V, ID = 22A, Q1)
- Drain to source voltage is 60V (Q1, Q2, typ, TA = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 1.0V (typ, Q1, Q2, VGS = VDS, ID = 250µA)
- Power dissipation is 48W (typ, Q1, Q2, TC = 25°C)
- Rise time is 15ns (typ, Q1, Q2, VDD = 30V, ID = 22A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Reverse recovery time is 53ns (Q1, Q2, IF = 22A, di/dt = 100A/μs, typ)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C, power 5 x 6 package
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
-
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
-
Gama de Producto
PowerTrench Series
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
93A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.0025ohm
Encapsulado del Transistor
PQFN
Disipación de Potencia Canal N
48W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
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País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000254
Trazabilidad del producto