FDG6322C
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,608 € |
| 10+ | 0,374 € |
| 100+ | 0,247 € |
| 500+ | 0,188 € |
| 1000+ | 0,161 € |
| 5000+ | 0,121 € |
Información del producto
Resumen del producto
El FDG6322C es un MOSFET de modo mejorado de nivel lógico con canal N/P doble, alta densidad de celdas y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad se ha desarrollado especialmente para minimizar la resistencia en estado conductor (ON). Este dispositivo se ha diseñado especialmente para aplicaciones de baja tensión como reemplazo a los transistores digitales bipolares y MOSFETs de pequeña señal. Puesto que no requiere resistencias de polarización este FET digital doble puede reemplazar a varios transistores digitales diferentes, con diferentes valores de resistencia de polarización.
- Contorno de encapsulado muy pequeño
- Requisitos de control de puerta de muy bajo nivel, lo que permite operación directa en circuitos de 3V (VGS(th)<lt/>1,5V)
- Zener puerta-fuente para robustez ESD
Especificaciones técnicas
Canal complementario N y P
25V
220mA
2.6ohm
6Pins
300mW
-
MSL 1 - Ilimitado
25V
220mA
2.6ohm
SC-70
300mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto