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FDC6327C
MOSFET Doble, Canal N y P, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDC6327C
Código Farnell9844856RL
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
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| 1500+ | 0,357 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDC6327C
Código Farnell9844856RL
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N20V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.9A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.08ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.17ohm
Encapsulado del TransistorSuperSOT
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N960mW
Disipación de Potencia Canal P960mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoPowerTrench Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The FDC6327C is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and DC-to-DC converter applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.9A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.17ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
960mW
Gama de Producto
PowerTrench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.7A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.08ohm
Encapsulado del Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Canal N
960mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000049
Trazabilidad del producto