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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteBD682G
Código Farnell9557717
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo100V
Disipación de Potencia Pd40W
Corriente de Colector DC4A
Encapsulado del Transistor RFTO-225
Número de Pines3Pins
Ganancia de Corriente DC hFE750hFE
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The BD682G is a PNP medium-power Darlington Transistor can be used as output device in complementary general-purpose amplifier applications.
- Monolithic construction
- Complementary with BD681
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP
Disipación de Potencia Pd
40W
Encapsulado del Transistor RF
TO-225
Ganancia de Corriente DC hFE
750hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
100V
Corriente de Colector DC
4A
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para BD682G
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00064