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BC857CDW1T1G
Array de Transistores Bipolares, PNP, 45 V, 100 mA
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|---|---|
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| 50+ | 0,0945 € |
| 100+ | 0,0621 € |
| 500+ | 0,0477 € |
| 1500+ | 0,0391 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteBC857CDW1T1G
Código Farnell2464067
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN-
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP45V
Corriente de Colector Continua NPN-
Corriente de Colector Continua PNP100mA
Disipación de Potencia NPN-
Disipación de Potencia PNP250mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP420hFE
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de Pines6Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN-
Frecuencia de Transición PNP100MHz
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The BC857CDW1T1G is a dual PNP general purpose Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
45V
Corriente de Colector Continua PNP
100mA
Disipación de Potencia PNP
250mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
420hFE
Número de Pines
6Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
100MHz
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
-
Corriente de Colector Continua NPN
-
Disipación de Potencia NPN
-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
-
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto