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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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10+ | 2,630 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteTIP147G
Código Farnell2535663
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo100V
Disipación de Potencia Pd125W
Corriente de Colector DC10A
Encapsulado del Transistor RFTO-247
Número de Pines3Pins
Ganancia de Corriente DC hFE500hFE
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP
Disipación de Potencia Pd
125W
Encapsulado del Transistor RF
TO-247
Ganancia de Corriente DC hFE
500hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
100V
Corriente de Colector DC
10A
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para TIP147G
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004082
Trazabilidad del producto