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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteTIP122G
Código Farnell9557881
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo100V
Disipación de Potencia Pd65W
Corriente de Colector DC5A
Encapsulado del Transistor RFTO-220
Número de Pines3Pins
Ganancia de Corriente DC hFE1000hFE
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The TIP122G is an NPN Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistor designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. This transistor features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors.
- High DC current gain
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Disipación de Potencia Pd
65W
Encapsulado del Transistor RF
TO-220
Ganancia de Corriente DC hFE
1000hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
100V
Corriente de Colector DC
5A
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para TIP122G
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.027216
Trazabilidad del producto