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TF412ST5G
Transistor JFET, -30 V, 3 mA, -1.5 V, SOT-883, 3 Pines, 150 °C
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,192 € |
| 500+ | 0,144 € |
| 1000+ | 0,116 € |
| 5000+ | 0,0881 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteTF412ST5G
Código Farnell2473421RL
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx-30V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.3mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente-1.5V
Encapsulado del TransistorSOT-883
Número de pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
-30V
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
-1.5V
Número de pines
3 Pines
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
3mA
Encapsulado del Transistor
SOT-883
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000079
Trazabilidad del producto