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SMUN5115DW1T1G
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, PNP Doble, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteSMUN5115DW1T1G
Código Farnell3617423
Rango de ProductoMUN5115DW1 Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semanas
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0318 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiplo: 3000
95,40 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteSMUN5115DW1T1G
Código Farnell3617423
Rango de ProductoMUN5115DW1 Series
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP Doble
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN-
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP50V
Corriente de Colector Continua100mA
Resistencia de Entrada Base R110kohm
Resistencia Base-Emisor R2-
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia385mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Mín. ganancia de corriente continua hFE160hFE
Gama de ProductoMUN5115DW1 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP Doble
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
50V
Resistencia de Entrada Base R1
10kohm
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Gama de Producto
MUN5115DW1 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
-
Corriente de Colector Continua
100mA
Resistencia Base-Emisor R2
-
Número de pines
6 Pines
Disipación de Potencia
385mW
Mín. ganancia de corriente continua hFE
160hFE
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.1
Trazabilidad del producto