Imprimir página
SMMBFJ309LT1G
Transistor JFET, 25 V, 30 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semanas
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,105 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiplo: 3000
315,00 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteSMMBFJ309LT1G
Código Farnell3615840
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx25V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.30mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente4V
Encapsulado del TransistorSOT-23
Número de pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
25V
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3 Pines
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
30mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.1
Trazabilidad del producto