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NXV65HR82DZ2
Transistor MOSFET, Canal N, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 5+ | 16,570 € |
| 10+ | 16,230 € |
| 50+ | 16,020 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNXV65HR82DZ2
Código Farnell3677750
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id26A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.073ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.073ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia Pd126W
Disipación de Potencia126W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
26A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.073ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
126W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.073ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Disipación de Potencia
126W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.5