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NXH010P90MNF1PTG
MOSFET de Carburo de Silicio, Medio Puente, Canal N Doble, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Módulo
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNXH010P90MNF1PTG
Código Farnell3973631
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 125,420 € |
| 5+ | 119,600 € |
| 10+ | 113,780 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNXH010P90MNF1PTG
Código Farnell3973631
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Tipo de CanalCanal N Doble
Corriente de Drenaje Continua Id154A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)900V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.01003ohm
Encapsulado del TransistorMódulo
Número de pines18Pins
Tensión de Prueba Rds(on)15V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.74V
Disipación de Potencia328W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Corriente de Drenaje Continua Id
154A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.01003ohm
Número de pines
18Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.74V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
Canal N Doble
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
900V
Encapsulado del Transistor
Módulo
Tensión de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
328W
Gama de Producto
-
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.09
Trazabilidad del producto