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NVHL080N120SC1
MOSFET de Carburo de Silicio, EliteSiC, Simple, Canal N, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVHL080N120SC1
Código Farnell3018978
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 12,240 € |
| 5+ | 10,610 € |
| 10+ | 8,980 € |
| 50+ | 8,030 € |
| 100+ | 8,020 € |
| 250+ | 8,000 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVHL080N120SC1
Código Farnell3018978
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id44A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.08ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia348W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoEliteSiC Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El NVHL080N120SC1 es un MOSFET de carburo de silicio (SiC). Las aplicaciones típicas son cargadores a bordo de automóviles y convertidores CC-CC de automóviles para EV/HEV.
- Certificación AEC-Q101 y capacidad PPAP
- 100% probado UIL
- Baja capacitancia de salida efectiva (típicamente Coss= 80pF)
- El voltaje drenaje-fuente es de 1200 V a TJ = 25 °C
- La corriente de drenaje continuo RJC es de 31 A a TC = 25 °C
- La disipación de potencia RJC es de 89 W a TC = 100 °C
- La capacidad de corriente de drenaje de sobretensión de pulso único es de 132 A a TA = 25 °C, tp = 10 µs, RG = 4,7 ohmios
- Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a +175 °C
- Encapsulado TO247-3L
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
44A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.08ohm
Número de Pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
348W
Gama de Producto
EliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Productos asociados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0007
Trazabilidad del producto