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NVBG160N120SC1
MOSFET de Carburo de Silicio, EliteSiC, Simple, Canal N, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVBG160N120SC1
Código Farnell3528515RL
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 50+ | 7,550 € |
| 100+ | 6,980 € |
| 250+ | 6,840 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVBG160N120SC1
Código Farnell3528515RL
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id19.5A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.16ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.16ohm
Encapsulado del TransistorTO-263HV (D2PAK)
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia136W
Disipación de Potencia Pd136W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoEliteSiC Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.16ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
136W
Gama de Producto
EliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
19.5A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.16ohm
Encapsulado del Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
136W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0034
Trazabilidad del producto