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NTUD3169CZT5G
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,305 € |
| 10+ | 0,233 € |
| 100+ | 0,132 € |
| 500+ | 0,120 € |
| 1000+ | 0,108 € |
| 5000+ | 0,0966 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNTUD3169CZT5G
Código Farnell2533207
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N20V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N220mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P220mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.75ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.75ohm
Encapsulado del TransistorSOT-963
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N125mW
Disipación de Potencia Canal P125mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The NTUD3169CZT5G is a N/P-channel complementary MOSFET offers a low RDS (ON) solution in the ultra small package. It is suitable for load switch with level shift applications.
- 1.5V Gate voltage rating
- Ultra thin profile (<lt/>0.5mm)
- Fit easily into extremely thin environments such as portable electronics
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
220mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.75ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
125mW
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
220mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.75ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-963
Disipación de Potencia Canal N
125mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto