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NSVF6003SB6T1G
Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
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| 10+ | 0,462 € |
| 100+ | 0,335 € |
| 500+ | 0,275 € |
| 1000+ | 0,240 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNSVF6003SB6T1G
Código Farnell2775449
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx12V
Frecuencia de Transición7GHz
Disipación de Potencia800mW
Corriente de Colector Continua150mA
Encapsulado del TransistorCPH
Número de pines6Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE100hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Frecuencia de Transición
7GHz
Corriente de Colector Continua
150mA
Número de pines
6Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
12V
Disipación de Potencia
800mW
Encapsulado del Transistor
CPH
Mín. ganancia de corriente continua hFE
100hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0003
Trazabilidad del producto