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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
3000+ | 0,164 € |
9000+ | 0,138 € |
Información del producto
Resumen del producto
El NDC7001C es un FET de modo optimizado con canal N/P doble fabricado mediante tecnología DMOS y alta densidad de celdas. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado conductor (ON) y proporciona rendimiento robusto y fiable y conmutación rápida. Este dispositivo es especialmente adecuado para aplicaciones de baja tensión, baja corriente, conmutación y alimentación.
- Alta corriente de saturación
- Diseño de celdas de alta densidad para baja RDS (ON)
- Diseño con bastidor de cobre para capacidades térmica y eléctrica superiores
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Canal complementario N y P
50V
340mA
1ohm
6Pins
700mW
-
MSL 1 - Ilimitado
50V
340mA
1ohm
SuperSOT
700mW
150°C
-
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto