Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMURS160T3G
Código Farnell2336854
Rango de ProductoMURS Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
Avisarme cuando esté de nuevo en stock
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
2500+ | 0,104 € |
7500+ | 0,0998 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiplo: 2500
260,00 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMURS160T3G
Código Farnell2336854
Rango de ProductoMURS Series
Hoja de datos técnicos
Tensión inversa repetitiva máx.600V
Corriente Directa Promedio1A
Configuración de DiodoÚnico
Tensión Directa Máxima1.25V
Tiempo de Recuperación Inversa75ns
Sobrecorriente Directa35A
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Encapsulado del DiodoDO-214AA (SMB)
Número de pines2 Pines
Gama de ProductoMURS Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
MURS160T3G is a power rectifier with ultra-fast recovery. Ideally suited for high voltage, high-frequency rectification, or as free wheeling and protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.
- Small compact surface mountable package with J-bend leads
- Rectangular package for automated handling
- High temperature glass passivated junction
- Epoxy, moulded case
- All external surfaces corrosion resistant and terminal leads are readily solderable finish
- Polarity Band Indicates Cathode Lead
- ESD Rating Human Body Model = 3B (<gt/> 8kV), charged Device Model <gt/> 1000V
- Thermal resistance is 13°C/W (Junction-to-Lead (TL = 25°C)
- Maximum forward recovery time is 25ns (iF = 1.0A, di/dt = 100A/s, Rec. to 1.0V)
- SMB package, operating junction temperature range from -65 to +175°C
Especificaciones técnicas
Tensión inversa repetitiva máx.
600V
Configuración de Diodo
Único
Tiempo de Recuperación Inversa
75ns
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Número de pines
2 Pines
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
1A
Tensión Directa Máxima
1.25V
Sobrecorriente Directa
35A
Encapsulado del Diodo
DO-214AA (SMB)
Gama de Producto
MURS Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para MURS160T3G
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000243
Trazabilidad del producto