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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMSD701T1G
Código Farnell1431102RL
Rango de ProductoMMSD7
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoÚnico
Tensión Inversa70V
Corriente Directa200mA
Tensión Directa500mV
Capacitancia del Diodo0.5pF
Encapsulado del DiodoSOD-123
Número de pines2 Pines
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.125°C
Gama de ProductoMMSD7
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MMSD701T1G is a Schottky Barrier Diode features extremely low minority carrier lifetime and very low capacitance. The Schottky diode is designed primarily for high efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.
- 225mW Forward power dissipation
- Low reverse leakage
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa
200mA
Capacitancia del Diodo
0.5pF
Número de pines
2 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.
125°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Inversa
70V
Tensión Directa
500mV
Encapsulado del Diodo
SOD-123
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Gama de Producto
MMSD7
Documentos técnicos (2)
Alternativas para MMSD701T1G
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001
Trazabilidad del producto