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| 1000+ | 0,0238 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBT3904LT1G
Código Farnell1459100
Rango de ProductoMMBTxxxx
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx40V
Corriente de Colector Continua200mA
Disipación de Potencia225mW
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines3Pins
Frecuencia de Transición300MHz
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE300hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoMMBTxxxx
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El MMBT3904LT1G es un transistor bipolar NPN de silicio diseñado para usarse en aplicaciones de conmutación y montaje superficial lineal de baja potencia.
- Sin halógenos/BFR
- Certificación AEC-Q101 y apto según PPAP
- Emitter-base breakdown voltage is 6.0VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Collector current - continuous is 900mAdc max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 225mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 556°C/W max (TA = 25°C)
- Collector cutoff current is 50nAdc max (VCE = 30VDC, VEB = 3.0Vdc)
- Noise figure is 5.0dB max (VCE = 5.0VDC, IC = 100µADC, RS = 1.0kohm, f = 1.0KHz)
- SOT-416 package
- Junction temperature range from -65 to +150°C
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector Continua
200mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Número de Pines
3Pins
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE
300hFE
Gama de Producto
MMBTxxxx
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tensión Colector-Emisor Máx
40V
Disipación de Potencia
225mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
300MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para MMBT3904LT1G
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Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.09