Imprimir página
MMBT2222ALT1G
Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
24.000 Productos en Stock
78.000 Ahora puede reservar el stock
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,022 € |
| 9000+ | 0,0172 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiplo: 3000
66,00 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBT2222ALT1G
Código Farnell2336860
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx40V
Corriente de Colector Continua600mA
Disipación de Potencia225mW
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines3Pins
Frecuencia de Transición300MHz
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE35hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MMBT2222ALT1G is a NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear, lower power surface mount and switching applications.
- Halogen-free/BFR-free
- AEC-Q101 Qualified and PPAP capable
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector Continua
600mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Número de Pines
3Pins
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE
35hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
40V
Disipación de Potencia
225mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
300MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para MMBT2222ALT1G
8 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002
Trazabilidad del producto