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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBT100
Código Farnell2453361RL
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx45V
Corriente de Colector Continua500mA
Disipación de Potencia350mW
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de pines3Pins
Frecuencia de Transición250MHz
Mín. ganancia de corriente continua hFE80hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Notas
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Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector Continua
500mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Número de pines
3Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE
80hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
45V
Disipación de Potencia
350mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
250MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para MMBT100
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000018
Trazabilidad del producto