Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
178.801 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,347 € |
| 10+ | 0,205 € |
| 100+ | 0,105 € |
| 500+ | 0,0969 € |
| 1000+ | 0,0819 € |
| 5000+ | 0,0669 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
1,73 € (Excl. IVA)
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBFJ113
Código Farnell2453376
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.2mA
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.-
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente-3V
Encapsulado del TransistorSOT-23
Número de pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El MMBFJ113 es un interruptor JFET de canal N diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados por chopper.
- Fuente y drenador intercambiables
- Tensión drenador-fuente de 35V
- Tensión puerta-fuente de -35V
- Corriente directa de puerta de 50mA
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
-
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.
2mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
-3V
Número de pines
3 Pines
Tipo de Transistor
JFET
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000018