Imprimir página
MMBFJ112
Transistor JFET, JFET, -35 V, -5 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semanas
Avisarme cuando esté de nuevo en stock
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0686 € |
| 9000+ | 0,0639 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
--
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBFJ112
Código Farnell2438271
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.-
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.5mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente-5V
Encapsulado del TransistorSOT-23
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MMBFJ112 is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.
- Interchangeable source and drain
- 35V Drain-gate voltage
- -35V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.
5mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
-
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
-5V
Núm. de Pines
3 Pines
Tipo de Transistor
JFET
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto