Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
105 Productos en Stock
200 Ahora puede reservar el stock
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 7,620 € |
5+ | 6,340 € |
10+ | 5,060 € |
50+ | 4,660 € |
100+ | 4,250 € |
250+ | 3,940 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
7,62 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMJ21193G
Código Farnell9556613
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP
Tensión Colector-Emisor Máx250V
Corriente de Colector Continua16A
Disipación de Potencia250W
Encapsulado del TransistorTO-3
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Número de pines3Pins
Frecuencia de Transición4MHz
Mín. ganancia de corriente continua hFE75hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.200°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MJ21193G is a -250V Silicon PNP Bipolar Power Transistor that utilizes perforated emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
- Total harmonic distortion characterized
- High DC current gain
- Excellent gain linearity
- High SOA
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP
Corriente de Colector Continua
16A
Encapsulado del Transistor
TO-3
Número de pines
3Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE
75hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tensión Colector-Emisor Máx
250V
Disipación de Potencia
250W
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Frecuencia de Transición
4MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
200°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Mexico
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.015082
Trazabilidad del producto