MICROFJ-30035-TSV-TR1

Los sensores de baja luz de la serie J de ON Semiconductor ofrecen una alta PDE (eficiencia de detección de fotones) que se consigue mediante un proceso de fundición de silicio P sobre N de alto volumen. Los sensores de la serie J incorporan importantes mejoras del tiempo de tránsito que resultan en una optimización significativa del rendimiento de temporización del sensor. Los sensores de la serie J están disponibles en distintos tamaños (3mm, 4mm y 6mm) y utilizan un proceso TSV (vía a través de silicio) para crear un encapsulado con espacio muerto mínimo, compatible con los procesos de soldadura por reflujo sin plomo de estándar industrial.

• Microceldas de alta densidad
• Los sensores de la serie J integran el exclusivo terminal de salida rápida ("fast output") de ON Semiconductor
• Estabilidad de temperatura de 21,5 mV/°C
• Excepcional uniformidad de tensión de ruptura de ±250 mV
• Disponible en encapsulado a escala de chip TSV compatible con soldadura por reflujo
• Velocidad de conteo ultrabaja de 50 kHz/mm2 (típica)
• Optimizado para aplicaciones de temporización de alto rendimiento como ToF-PET
• Tensión de polarización inferior a 30 V
• Tamaños de sensor de 3 mm, 4 mm y 6 mm