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MC1413DR2G
MATRIZ TRANSISTOR, NPN/PNP, 1.1V, SOIC
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,527 € |
| 10+ | 0,330 € |
| 100+ | 0,266 € |
| 500+ | 0,254 € |
| 1000+ | 0,244 € |
| 2500+ | 0,209 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMC1413DR2G
Código Farnell2845424
Hoja de datos técnicos
Tensión de Alimentación Mín.-
Tensión de Alimentación Máx.3V
Núm. de Salidas7Outputs
Tensión de Salida50V
Corriente de Salida500mA
Encapsulado del ControladorSOIC
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tensión de Alimentación Mín.
-
Núm. de Salidas
7Outputs
Corriente de Salida
500mA
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión de Alimentación Máx.
3V
Tensión de Salida
50V
Encapsulado del Controlador
SOIC
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para MC1413DR2G
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000207