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MBT3946DW1T1G
Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN y PNP complementarios, 40 V, 40 V, 200 mA
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMBT3946DW1T1G
Código Farnell1459079
Rango de ProductoMJxxxx Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,185 € |
| 50+ | 0,111 € |
| 100+ | 0,0692 € |
| 500+ | 0,0506 € |
| 1500+ | 0,039 € |
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Mínimo: 5
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMBT3946DW1T1G
Código Farnell1459079
Rango de ProductoMJxxxx Series
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN y PNP complementarios
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN40V
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP40V
Corriente de Colector Continua NPN200mA
Corriente de Colector Continua PNP200mA
Disipación de Potencia NPN150mW
Disipación de Potencia PNP150mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN250hFE
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP250hFE
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN300MHz
Frecuencia de Transición PNP250MHz
Gama de ProductoMJxxxx Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MBT3946DW1T1G is a NPN-PNP complementary Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package designed for general purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.
- 100 to 300 hFE
- ≤0.4V Low VCE(sat)
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN y PNP complementarios
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
40V
Corriente de Colector Continua PNP
200mA
Disipación de Potencia PNP
150mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
250hFE
Número de pines
6Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
250MHz
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
40V
Corriente de Colector Continua NPN
200mA
Disipación de Potencia NPN
150mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
250hFE
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
300MHz
Gama de Producto
MJxxxx Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para MBT3946DW1T1G
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.1
Trazabilidad del producto