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J113
Transistor JFET, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pines, 150 °C
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,457 € |
| 10+ | 0,309 € |
| 100+ | 0,130 € |
| 500+ | 0,126 € |
| 1000+ | 0,110 € |
| 5000+ | 0,0973 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteJ113
Código Farnell1017713
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.-
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.0
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente-3V
Encapsulado del TransistorTO-92
Núm. de Pines3 Pines
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El J113 es un interruptor de canal N con orificio pasante en encapsulado TO-92. Este dispositivo está diseñado para circuitos de conmutación analógica de bajo nivel, muestreo y retención, así como amplificadores estabilizados por chopper.
- Fuente y drenador intercambiables
- Tensión de ruptura de puerta a fuente de 35V
- Tensión de corte de la puerta a la fuente de 3V
- Corriente de drenaje con tensión de puerta cero de 2mA
- Disipación de potencia (pd) de 625mW
- Temperatura de unión en funcionamiento de -55°C a 150°C
- Resistencia en estado conductor drenador-fuente de 100 Ohm
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.
0
Encapsulado del Transistor
TO-92
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
-
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
-3V
Núm. de Pines
3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para J113
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000236