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J111-D26Z
Transistor JFET, JFET, -35 V, -10 V, TO-226AA, 3 Pines, 150 °C
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,251 € |
| 10+ | 0,181 € |
| 100+ | 0,140 € |
| 500+ | 0,127 € |
| 1000+ | 0,106 € |
| 5000+ | 0,0852 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteJ111-D26Z
Código Farnell2453925
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.-
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.20mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente-10V
Encapsulado del TransistorTO-226AA
Número de pines3 Pines
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The J111_D26Z is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.
- 35V Drain-gate voltage
- -35V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.
20mA
Encapsulado del Transistor
TO-226AA
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
-
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
-10V
Número de pines
3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para J111-D26Z
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000529
Trazabilidad del producto