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HUF75344P3
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Orificio Pasante
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 800+ | 1,330 € |
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Mínimo: 800
Múltiplo: 800
1.064,00 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteHUF75344P3
Código Farnell3616295
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)55V
Corriente de Drenaje Continua Id75A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.008ohm
Encapsulado del TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia285W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
75A
Encapsulado del Transistor
TO-220AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
285W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
55V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.008ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.1
Trazabilidad del producto