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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 1000+ | 0,0692 € |
| 5000+ | 0,0482 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteHN2D02FUTW1T1G
Código Farnell2317444RL
Rango de ProductoHN2D0
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoTriple Aislado
Cresta de Tensión Inversa Recurrente85V
Corriente Directa Promedio100mA
Tensión Directa Máxima1.2V
Tiempo de Recuperación Inversa3ns
Sobrecorriente Directa1A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del DiodoSOT-363
Número de Pines6Pins
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Gama de ProductoHN2D0
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Triple Aislado
Corriente Directa Promedio
100mA
Tiempo de Recuperación Inversa
3ns
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de Pines
6Pins
Gama de Producto
HN2D0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
85V
Tensión Directa Máxima
1.2V
Sobrecorriente Directa
1A
Encapsulado del Diodo
SOT-363
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000006
Trazabilidad del producto