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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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1+ | 2,260 € |
10+ | 1,450 € |
100+ | 0,997 € |
500+ | 0,792 € |
1000+ | 0,700 € |
5000+ | 0,673 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFGD5T120SH
Código Farnell2565212
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua10A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor2.9V
Disipación de Potencia69W
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
- 1200V, 5A FS trench technology IGBT
- Positive temperature coefficient
- High speed switching
- Low saturation voltage: VCE(sat) = 2.9V at Ic=5A
- High input impedance
- Suitable for inrush current limitation, lighting and home appliances
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
10A
Disipación de Potencia
69W
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Gama de Producto
-
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
2.9V
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85334010
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000907
Trazabilidad del producto