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FFSP1265A
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, EliteSiC, EliteSiC Series, Único, 650 V, 12 A, 40 nC, TO-220
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFFSP1265A
Código Farnell2835588
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,840 € |
| 10+ | 2,090 € |
| 100+ | 1,990 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFFSP1265A
Código Farnell2835588
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Gama de ProductoEliteSiC Series
Configuración de DiodoÚnico
Tensión inversa repetitiva máx.650V
Corriente Directa Promedio12A
Carga Capacitiva Total40nC
Encapsulado del DiodoTO-220
Número de pines2 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de DiodoAgujero Pasante
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) emplean una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y más fiabilidad en comparación con los diodos de silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente respecto a temperatura y excelente rendimiento térmico, el carburo de silicio es un semiconductor de potencia de última generación. Los beneficios del sistema incluyen eficiencia máxima, frecuencia de operación más rápida, densidad de potencia aumentada, EMI reducida y reducción de tamaño y coste de sistema.
- Temperatura máxima de unión de 175°C
- Certificación AEC-Q101
- Certificación de avalancha para 200mJ
- Sin recuperación inversa/sin recuperación directa
- Paralelado fácil
- Alta capacidad para sobrecorriente transitoria
- Coeficiente de temperatura positivo
Especificaciones técnicas
Gama de Producto
EliteSiC Series
Tensión inversa repetitiva máx.
650V
Carga Capacitiva Total
40nC
Número de pines
2 Pines
Montaje de Diodo
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
12A
Encapsulado del Diodo
TO-220
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto