FFSD08120A

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) emplean una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y más fiabilidad en comparación con los diodos de silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente respecto a temperatura y excelente rendimiento térmico, el carburo de silicio es un semiconductor de potencia de última generación. Los beneficios del sistema incluyen eficiencia máxima, frecuencia de operación más rápida, densidad de potencia aumentada, EMI reducida y reducción de tamaño y coste de sistema.

• Temperatura máxima de unión de 175°C
• Certificación AEC-Q101
• Certificación de avalancha para 200mJ
• Sin recuperación inversa/sin recuperación directa
• Paralelado fácil
• Alta capacidad para sobrecorriente transitoria
• Coeficiente de temperatura positivo