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FDS8949
MOSFET Doble, Canal N, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 2500+ | 0,381 € |
| 7500+ | 0,348 € |
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Mínimo: 2500
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDS8949
Código Farnell2323201
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N40V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.029ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P-
Encapsulado del TransistorSOIC
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N2W
Disipación de Potencia Canal P-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDS8949 es un MOSFET de nivel lógico con canal N doble fabricado mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado conductor (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior. Es adecuado para aplicaciones alimentadas por batería y de baja tensión que requieren baja pérdida de potencia en línea y conmutación rápida.
- Baja carga de puerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS(ON) extremadamente baja
- Alta capacidad de manejo de potencia y corriente
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
-
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.029ohm
Encapsulado del Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Canal N
2W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00022
Trazabilidad del producto